FIB - Focused Ion Beam

Das Focused Ion Beam Verfahren nutzt einen fokussierten Ionenstrahl - zum Beispiel aus einer Gallium- (Ga-) oder Gold-Silizium- (AuSi-) Flüssigmetall- Ionenquelle.
Bei niedrigem Strahlstrom kann dieser zur Abbildung, bei hohem Strahlstrom zum punktspezifischem Materialabtrag verwendet werden.

Aufgrund ihrer Vielseitigkeit werden FIB-Systeme in den unterschiedlichsten Anwendungsbereichen eingesetzt. Typische Anwendungen sind unter anderem die Bearbeitung von Schaltkreisen, die TEM-Probenpräparation und die 3D-Lithografie.
 

FIB-Features:

Einzigartige Ionen-Optische-Säule, welche durch zwei Ionengetterpumpen differenziell gepumpt wird - für besonders niedrige Ionenstreuung

Motorisierter Blendenwechsler für hohe Reproduzierbarkeit

Beam Blanker und Faradayscher Käfig

REM-Abbildung simultan mit FIB-Ätzung oder Metalldepositionen

FIB-Steuerung voll in die Software des Elektronenmikroskops integriert

Leistungsfähige Werkzeuge mit programmierbaren Prozessparametern zur Erstellung elementarer Formen
 

FIB- / GIS-Software:

Vollintegriert in die REM-Steuerung

Gleichzeitiges Abbilden mit dem REM während FIB- / GIS-Ätzung oder -Auftrag (zwei unabhängige Scan-Generatoren)

Lokales FIB-Bild während Ätzung oder Auftrag

Werkzeuge für elementare Formen (Line, Rechteck, Kreis, Kreisring, Treppenstufen, Bitmap, Text etc.), programmierbare Prozessparameter

Materialdatenbank mit der Möglichkeit, eigene benutzerdefinierte Materialien hinzuzufügen

Automatisierter Start / Stopp der FIB-Gun

Softwaregesteuerte Blendenkontrolle und -zentrierung

Automatische Positionierung der GIS-Düsen sowie Temperaturkontrolle