Probenpräparationssystem Dual Ion Beam "DIB-Workstation" für die hochqualitative, flächenbezogene Probenpräparation bei REM-Anwendungen   Für heutige hochanspruchsvolle REM- und TEM-Untersuchungen werden rückstandsfreie Proben mit einer minimalen Anzahl an Beschädigungen der Oberfläch benötigt, die selbst höchsten Qualitäts-ansprüchen genügen. Das neue Technoorg Dual Ion Beam "DIB" Probenpräparationssystem SC-1000, basierend auf dem erprobten Ion-Beam-Abtragungsverfahren der patentierten Technoorg Gentle Mill™, ist in der Lage, Probenoberflächen zu erstellen, die diesen Ansprüchen gerecht werden.   Präparation von Querschnittsproben durch Böschungsätzen (Slope-Cutting) in einem Winkel von 90°, 60°, 45° oder 30° durch unterschiedliche Probenhalter Endpolitur und Endreinigung von REM- und EBSD-Proben Hochenergetische Ionenquelle für schnellen Materialabtrag Niederenergetische Ionenquelle für schonende Oberflächenpolitur und -reinigung Automatisierte Parametereinstellung und Betrieb Probenrotation und Probenoszillation Probenpräparation mit hochpräziser Positionierung Echtzeitüberwachung des Prozesses durch CCD-Kamera und Monitor   SC-1000 Dual Ion Beam Workstation Probenhalter für Böschungsätzen (Slope Cutting) für Endpolitur (EBSD, OIM etc.)   Beschreibung Das Technoorg SC-1000 ist sowohl mit einer hochenergetischen als auch nieder-energetischen Ionenquelle ausgestattet. Dies ermöglicht schnelles Böschungsätzen mit hochenergetischer Ionenquelle, gefolgt von schonender Oberflächenreinigung und Oberflächenoptimierung durch die niederenergetische Ionenquelle. Dies wird beispielsweise in der Halbleitertechnik oder zu anderen Analysezwecken bei der Querschnittsanalyse von REM-Proben benötigt. Die SC-1000 “DIB-Workstation” kann auch - wie die Gentle Mill™ - hauptsächlich zur hochqualitativen Oberflächenoptimierung mechanisch polierter REM-Proben eingesetzt werden. Weitgehend schadensfreie Oberflächen für die EBSD-Analyse sind so möglich.   Spezifikationen Niederergetischer Ionenstrahl (Ultra-) Hochenergetischer Ionenstrahl Ionenquellen 100 eV - 2 keV stufenlos einstellbar 2 keV - 10 keV* stufenlos einstellbar (*optional Ultra: 2 keV - 20 keV) Strahlstromdichte 10 mA/cm² max. 100 (150) mA/cm² max. Strahlstrom 7 - 80 µA 150 (250) µA Strahldurchmesser 750 - 1200 µm (FWHM) 300 - 600 (100 - 300) µm (FWHM) Sputterrate max. 28 μm/std. (Si bei 30°) 150 (600) μm/std. (Si bei 30° / 45°) Probenhalter Probenhalter für Böschungsätzen: 20 x 16 x 4 mm max. mit bis zu 2 µm Positionsgenauigkeit EBSD Oberflächenreinigung: Ø36 x 3 mm / Ø25 x 15 mm / Ø24 x 22 mm Probenkippung 0° bis 30°, einstellbar in 0,1° Schritten Probendrehung In-Plane (auf gleicher Ebene) 360° Probenoszillation In-Plane (auf gleicher Ebene) im ± 45° Bereich Vakuumsystem Ölfreies Vakuumsystem, Vorvakuumpumpe und Turbomolekularpumpe mit Pirani- und Penning-Messung Gasversorgung Argon 5.0 (99,999%), Gasdurchflusskontrolle über motorisiertes Nadelventil Bilderzeugung Hochauflösende CCD-Farbkamera mit manueller Zoom-Videolinse, 50 bis 400 fache Vergrößerung PC-Steuerung Benutzerfreundliche grafische Oberfläche mit optionalem Bildverarbeitungssystem, automatisierte Einstellung der Ionenquelle, Abtragungsparameter und Betriebssteuerung über den eingebauten PC möglich   Wünschen Sie weitere Informationen? Wir stehen Ihnen gerne zur Verfügung!